%0 Journal Article
%T 一种GaAs快速光电导开关
%A 李锦林
%A 梁东明
%A 张进昌
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报道了一种采用掺 Cr的 GaAs高阻材料,交叉指状图形,Ni/Ge/Au金属化,浅腐蚀坑改善光电耦合效率的快速、灵敏光电导开关.在染料激光脉冲激励下,获得短于200ps的瞬态响应.根据分析,这种光电导开关的瞬态响应应远小于200 ps,适用于信号处理.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AEFD44B24C8A35F01E84C04429E5D467&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A4FA325EA800C820&eid=74011071555EB4E5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0