%0 Journal Article
%T GaAs MESFET电子辐照效应的研究
%A 吴凤美
%A 赖启基
%A 徐岭
%A 龚邦瑞
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变化主要是由于载流子去除效应.对器件载流子去除率进行了计算,其值在8-30cm~(-1)范围内.迁移率退化因子是比较小的,在室温大约为10~(-17)cm~2量级.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FF1691D7AA187D2D03ACC26955A1118B&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=656F8C8401D91023&eid=CFAC5CB624A41AFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0