%0 Journal Article
%T 原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究
%A 何宏家
%A 曹福年
%A 范缇文
%A 白玉珂
%A 费雪英
%A 王凤莲
%A 褚一鸣
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷化镓晶体中,当其电子浓度n≥3 ×10~(15)cm~(-3)时,微缺陷才出现.从微观完整性言,Si是GaAs的N型掺杂剂中较好的一种.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B692CB6E9436AA97323F4C06F8738951&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E3D3D8D1B650AE1E&eid=BB98BB04E861B6F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0