%0 Journal Article
%T 硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究
%A 王正元
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c-0.037eV,E_c-0.265eV.证实该施主中心的产生,跟材料中硅氢键以及某种结构正在研究的特定缺陷的存在密切相关.还通过多方面实验证实,它同已知的“450℃退火形成的氧施主”完全不同.最后指出,利用在氢气中区熔生长的NTD硅来研究孤立氢原子在硅中的行为,比用其他方法更为有利.这为氢在硅中的电活性提供了新的证据.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=48C16294C0F76C9C8999A91AF7C8324A&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=78976D931AD1540F&eid=78BF76CF5B7CB0F2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0