%0 Journal Article
%T 正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用
%A 江关辉
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 在对P~+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P~+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7A6940C854291B5BFD991E13208ADC8A&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&sid=8B59EA573021D671&eid=FD7C952458BFB5D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0