%0 Journal Article
%T 4.2K注氮Ga_(1-x)Al_xAs(x=0.2-0.8)的光致发光研究
%A 弓继书
%A 徐仲英
%A 徐俊英
%A 李玉璋
%A 陈良惠
%A 石忠诚
%A 杜宝勋
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga_(1-x)AlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga_(1-x)AlxAs中获得约 10~(18)/cm~3的氮浓度.实验观察到由于注氮在X导带极小值下面形成的等电子束缚态相关的氮发射带及其声子边带.在4.2K下观察到随退火温度上升及氮浓度增加形成的氮峰增长.测定了氮能级位置随铝组分x的变化关系.同时测量了不同组分原始样品的带边峰位置,初步确定了4.2K下带边能量随组分x变化的经验公式.利用两能谷近似计算了氮束缚能级的位置,理论与实验有较好的符合.对比GaAs_(1-x)Px:N的结果,对由于电负性差异和晶格畸变而引起的氮等电子杂质势随x的变化作了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9183C597FA622894C6D79C10080BCC13&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=FE6B7E9BDCCDBAA6&eid=283B38DAD0D068F3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0