%0 Journal Article
%T 热处理硅中的氧、碳沉淀
%A 许振嘉
%A 蒋四南
%A 孙伯康
%A 刘江夏
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 利用红外吸收、x射线形貌照相、x射线反常透射、俄歇电子能谱和高压透射电子显微镜研究了在450℃、700℃和1050℃热处理后无位错CZ-Si单晶中的氧、碳沉淀.从X射线反常透射强度的结果,证明甚至在较低温度 450℃热处理,沉淀即已产生.由红外吸收可以证明,在700℃热处理已有大量沉淀产生.但是由于沉淀颗粒太小,无法用X射线形貌相观察这种沉淀.沉淀物的大小估计为数埃至500埃.氧沉淀决定于氧含量和单晶的热历史.但是,碳和低高温两步热处理都可以促进氧沉淀.测定了700℃和1050℃经不同时间热处理所产生的氧、碳沉淀率.对于碳对氧沉淀的作用,沉淀图样和机理进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A2410C432A7692717F3DE2F1A8530BF2&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=0A0BD3F594F876C0&eid=D0E8F9CBDBE0070C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0