%0 Journal Article
%T 混合半导体的能隙结构
%A 钟学富
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 研究了混合半导体的能隙同化学配比x的关系.指出了对称性对于形成能隙的线性加弓形结构的重要作用,而弓形参量是无规势的平方量级,由半经验的化学键方法所作的数值估计同实验是符合的.另外说明了无序对能隙的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=36213C08453AF54221DB8949A6ED2DD3&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DDEED1BDDBFAA8A7&eid=AC2617B68B137D9D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0