%0 Journal Article
%T 一种平面型GaAs场效应晶体管
%A 邓先灿
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E483B6FEF9C1D5CEF109958E3798E007&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CDEBD1ACE0A4C1C1&eid=6FBD78E3BAB60869&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0