%0 Journal Article
%T 结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
%A 阮英超
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为～10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场效应霍耳管(Junction Field Effect-Halltron).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FC5044EF1D92A45AD5BB83861AACB81C&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D767283A3B658885&eid=2B5DE8A23DCEED39&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0