%0 Journal Article
%T N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响
%A 吴鼎芬
%A 陈芬扣
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DDF70EEEA984BF64E693C96287BB71AD&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=8C83C265AD318E34&eid=F24949CFDB502409&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0