%0 Journal Article
%T 用光谱法研究砷离子注入硅的退火
%A 林树汉
%A 莫党
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=47DB9298179086D1F0F1462ED1C733C5&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=FED44C0135DC1D9C&eid=216EFB25F7F834CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0