%0 Journal Article
%T 高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势
%A 崔成烈
%A 傅志煌
%A 吴瑞华
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文提出通过栅控二极管在不同偏压下的高频C-V特性曲线,确定埋沟电荷耦合器件(BCCD)随栅压变化的沟道电势.对不同样品进行了高频C-V测量,并求出沟道电势与栅压的变化关系.同时,用直流I-V法进行了测量,结果与高频C-V方法所得到的结果非常接近.根据BCCD一维耗尽近似理论模型,进行了计算机模拟,结果表明,理论与实验结果符合得比较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FA8B16864F87D782167C040E7BC12958&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=B79ACB6EBBFC9730&eid=0493D643315CD829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0