%0 Journal Article
%T 场控P-N结击穿特性
%A 刘玉书
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文通过对典型场控P-N结结构的分析,给出硅突变结击穿电压(BV_R)与覆盖在结上面的场绝缘层介质类型(K_i)、介质厚度(d)、场板偏压(V_F)、平带电压(V_(FB))、衬底杂质浓度(N_B)、结曲率半径(r_i)等参数之间的定量关系表达式.实验表明.实际测量的数据与用本文中公式所计算的结果符合得很好.预示,用同样的方法,也可以推导出场控缓变P-N结的击穿电压表达式.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=12D034C506B6BFDBE0031B79BC64D437&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=396DD691E964F390&eid=1E9426A299DC9FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0