%0 Journal Article
%T AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性
%A 王启明
%A 庄婉如
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=13ED3E493EA365B44FEB332C6EEA010D&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=D997634CFE9B6321&eid=8E6AB9C3EBAAE921&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0