%0 Journal Article
%T 质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器
%A 朱龙德
%A 张盛廉
%A 汪孝杰
%A 王莉
%A 高淑芬
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm~2,规一化阈电流密度为5kA/cm~2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F7F1BAF5F93BF1779FB664AAE22A1C4F&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&sid=D2742EEE6F4DF8FE&eid=78F0EFE028BD3783&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0