%0 Journal Article
%T 氢在GaAs(110)表面吸附的研究
%A 蒋平
%A 杨志宇
%A 陈福浩
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 采用EHMO方法计算了氢在GaAs(110)表面的吸附,确定了氢原子在表面的吸附位置.计算结果表明,Ga与As都能吸附氢原子,最稳定的吸附位置在As的悬键位,其次为Ga的悬键位;氢与表面原子形成共价键,键长均约为1.32A|°.当氢原子吸附于As的悬键位时,禁带中出现由As原子及Ga原子引入的表面态.同时计算表明GaAs(110)表面不能吸附分子态的氢,与已知的实验结果相符.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2859EB71E984C501&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=717CC18E05F2AFA0&eid=B66C5792F4740920&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0