%0 Journal Article
%T MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应
%A 钟战天
%A 陈宗圭
%A 邢益荣
%A 孙殿照
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处理引起的互扩散.实验结果表明,在富As的MBE GaAs(100)-C(2× 8)表面上淀积Al而形成的界面存在AlAs化合物;在较高的温度(≥450℃)下热处理,加剧了界面中的化学反应,并导致元素的互扩散,从而破坏了理想的突变结,使电学性能变差;还鉴别出由于Al进入GaAs层中置换Ga而形成Al_xGa_(1-x)As固溶体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EC27BD9C35D43C92&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E0F6F365E4766526&eid=BC084ACE66B62CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0