%0 Journal Article
%T 剥层椭偏法对As~+注入Si热退火过程的进一步研究
%A 陈敏麒
%A 张宏
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文用剥层椭偏光法对As离子注入硅的热退火过程作了较详细的研究.As 离子注入剂量为 5 ×10~(14)cm~(-2),能量为100keV.在300-800℃之间各种不同温度下退火,得到了在这几种温度下固相外延平均速率及复折射率分布的变化.我们发现在各种温度下非晶层的消光系数都变小,尾部的折射率变大.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E0E57B65C78B96E7F4D9AB38DE4044B6&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=B7B25E832E7F23D8&eid=4ECB3941871FD391&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0