%0 Journal Article
%T GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
%A 张友渝
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同样可以表征外延层的质量.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=52D2E8A0D9E7FED05E63FF8AA3930C5B&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8BD23BD67BF01A5C&eid=80A07035DF96B0C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0