%0 Journal Article
%T 关于砷化镓自生长氧化膜的研究
%A 刘弘度
%A 陈娓兮
%A 冯哲川
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文研究了砷化镓阳极氧化和热氧化的规律,并测量了自生长氧化膜的x光衍射谱、红外吸收光谱、折射率、线胀系数和杨氏模量.这些数据表明,GaAs自生长氧化膜可应用于以GaAs为衬底的平面光学器件及集成光学,同时,利用热氧化膜时,必须考虑应力及光弹性效应.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A80E355EC4492B7BA396C2AC08FC9A49&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=3356A7630A93A219&eid=683005D16807E4FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0