%0 Journal Article
%T 低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定
%A 曹友琦
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采用俄歇电子能谱仪(AES)和二次离子质谱仪(SIMS)测定膜的组份比和膜中的氧含量,特别是用(AES)法详细分析了氮化硅膜的抗氧化能力.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2C1229A601F2CFD6018CA4D1D8CDD151&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=94C357A881DFC066&sid=381FB4265090A8E0&eid=EF78DD85C21CB57F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0