%0 Journal Article
%T 低压化学蒸汽淀积(LPCVD)的计算机模拟
%A 王季陶
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文对热壁低压化学蒸汽淀积技术进行了计算机模拟计算.利用硅烷热分解可以制取均匀性良好的多晶硅膜.如假定气流中反应物径向浓度梯度为零.并引入硅烷转化率参数,就可以直接推导出淀积速率分布的理论计算式.计算结果与实验基本相符.通过电子计算机的一系列计算,从理论上得出了一些指导性的结论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E470F0916A4D63DB6162A92D9BB615ED&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B31275AF3241DB2D&eid=23CCDDCD68FFCC2F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0