%0 Journal Article
%T 扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性
%A 李元恒
%A 张玉峰
%A 吴书祥
%A 杜永昌
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO_2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO_2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=91000BA501D2EBD8B59E41ECD71C4E1E&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=9D9F10A828991FA6&eid=556C1A86E372B606&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0