%0 Journal Article
%T 硅(111)晶片外延时图形微畸变的研究
%A 陈明琪
%A 杨传铮
%A 王广福
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 介绍了向{100}和向最近的{110}偏离2～4°的赝(111)晶片外延图形微畸变的研究结果.当参考面为(100)时,图形平行于参考边112]安排,若晶片向(110)或(001)偏离2～4°,则垂直于参考边的线条明显变宽,当晶片向(011)或(101)偏离2～4°,图形畸变最小.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=988D2DB8FF4F0A749223EB1A68888966&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=5FF9F4F7CB1800C7&eid=5A6705FDACED0BF9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0