%0 Journal Article
%T GaAs化学汽相淀积的热力学分析——Ga/AsCl_3/H_2/IG系统
%A 陆大成
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文对 Ga/AsCl_3/H_2/IG系统进行了热力学计算,计算中考虑了旁路气体的注入和源区反应的不完全性.用流动效率和反应效率可以描述源区反应的不完全性.计算结果揭示了惰性气体-氢气混合载气系统生长的一般特性.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=078D2F6BAC58E0CAC977E8CB5CAF8997&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=C6EC7357BCACD3A4&eid=50EA2A80A7D254EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0