%0 Journal Article
%T Redistribution of Ge Incorporated into Silicon Through Cryogenic Implantation After RTP<br>低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布
%A Xiao Qinghua
%A Tu Hailing
%A <br>肖清华
%A 屠海令
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布.结果表明,快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长,表层形成合金层,而且导致Ge向表面的质量运输.最终出现平台式的Ge分布形态.快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道
%K SiGe
%K cryogenic implantation
%K RTP
%K RBS
%K SIMS<br>硅锗合金
%K 低温离子注入
%K 快速热处理
%K 卢瑟福背散射技术
%K 二次离子质谱技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F8CD9A297C0097B&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A67C4D140E145357&eid=9BBC04B2CAF22446&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=18