%0 Journal Article
%T 基区非均匀掺杂对　AlGaAs／GaAs　HBT　电学特性影响的数值分析
%A 曾峥
%A 吴文刚
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远大于ＢＧＮ效应产生的反向场．基区非均匀掺杂能提高电流增益，但提高的幅度随非均匀程度的增加而减慢．基区非均匀掺杂可明显改善截止频率ｆＴ，但同时也增加了集电结空间电荷区渡越时间τｃ，ｓｃＲ，使得ｆＴ在非均匀程度较大时开始下降．发射极－集电极ｏｆｆｓｅｔ电压在一定的非均匀程度下达到最佳值．
%K 双极晶体管
%K 电学特性
%K 非均匀
%K 掺杂
%K 数值分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED48F139996C44C0&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=138D3449C4A7D4E9&eid=E002FF26604EFFAB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3