%0 Journal Article
%T AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定
%A 邢益荣
%A W.Ranke
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 根据界面区俄歇信号随深度变化的测量结果J(x)精确地计算相应的元素浓度的相对变化n(x),其中考虑了入射电子的贯穿深度和俄歇电子的逃逸深度的影响.对SiO_2/Si、SiO_2/GaAs和阳极氧化物/GaAs三种界面的测量结果表明:这种分析不仅给出n(x)与j(x)之间的精确位移,而且当电子的逃逸深度同界面的过渡区厚度相接近时,看到预期的n(x)曲线比J(x)曲线变陡的效果.另外,利用这种分析方法还可确定电子的逃逸深度λ. 对SiO_2测得的结果是:λ(510eV)=26±4A和λ(1619eV)=62±9A.这些数值明显地大于对大量不同材料测得的平均值.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=787220D09FB57160DE9A92398B863B8B&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=4BEA9A781F286FC6&eid=BEE722AB5028E81F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0