%0 Journal Article
%T 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变
%A 王守武
%A 郑一阳
%A 郗小林
%A 潘国雄
%A 张进昌
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静止畴的有关因素.本文指出,准静态时畴外电场的大小对静止畴的形成和转变具有关键的作用.还讨论了扩散作用对静止畸形成的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=188740C5CDE24446CD78B4B0ACE08B54&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=94C357A881DFC066&sid=B941678158018439&eid=6D6BFCF0101BC091&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0