%0 Journal Article %T 热氧化二氧化硅层中氟离子的注入及其分布 %A 徐至中 %A 梁励芬 %J 半导体学报 %D 1982 %I %X 本文采用电晕放电技术对硅片的热氧化层注入了氟离子.并通过逐次剥层用椭偏测厚仪测量了剥层后的氧化层厚度,用高频c-v法测量了剥层后的平带电压,从而求得平带电压与氧化层厚度间的关系.并由此求得氧化层中电荷的分布情况.测量结果表明:氟离子注入后,在SiO_2/Si界面处的正电荷面密度比注入前有所增加,在氧化层体内存在有均匀分布的负电荷密度,在靠近SiO_2外表面约100(A|°)左右的区域内,负电荷密度由内向外逐渐增加,在外表面处具有最大的负电荷密度.最后,把我们的结果与Williams的结果进行了比较,并进行了讨论. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2B99C3B010BAD10044DEF0ADD0BE079A&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=8ED630AD8C61FAE8&eid=A2745AA1110798CA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0