%0 Journal Article
%T 用冷阴极电子束快速处理金属-硅薄膜生成硅化物
%A 杜元成
%A 鲁钟
%A 郁曾期
%A 孙迭篪
%A 李富铭
%A G.J.Collions
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 研究了用于大规模和超大规模集成电路布线和MOS晶体管栅极的难熔金属硅化物,WSi_x和TiSi_x的电子束快速、低温条件下生成的新方法.采用一种新型冷阴极辉光放电的低能大面积电子束装置.处理时间为几十秒.测量了硅化物的电导,薄膜成分结构以及表面的光散射特性.结果表明经过电子束处理的薄膜,形成了良好的硅化物;并且还出现了某些独特的(110)晶面择优生长的结构特性.由于处理时间短,温度低,这种快速处理方法有希望用于VLSI研究.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2D84194C33100E884B3FCB06053601D9&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=BA79719BCA7341D5&eid=31611641D4BB139F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0