%0 Journal Article
%T 以空穴层为表面层的第Ⅱ类半无限半导体超晶格中的表面集体激发模式
%A 秦国毅
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文计算了以GaSb为表面层的半无限GaSb/InAs半导体超晶格中的集体激发模式.考虑了声子的效应并讨论了推迟效应的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=741E29D31CD686F7274F2299016595DF&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E22B6B8FE86DD8F9&eid=EB552E4CFC85690B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0