%0 Journal Article
%T B~+和P~+离子注入在n-Si中产生缺陷能级的进一步研究
%A 孙璟兰
%A 陈建新
%A 李名复
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用快速的电流DLTS和最低温度达10K的低温样品架对过去报道过的n型Si中B~+,200keV,2.5 × 10~(11)cm~(-2)和P~+,240keV,4.4 × 10~(11)cm~(-2)离子注入产生的新能级重新作了测量.在注B~+样品中,发现三个新的电子陷阱E_6(0.16),E_7(0.15),E_8(0.08),其中E_7具有很大的浓度.在注P~+样品中,发现二个新的电子陷阱,其中E_7与注硼样品属于同一种中心,因此可能与硼无关.另一个E_3＂(0.09).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=49DB7B54C938F692&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=6313C162FF75889A&eid=4002B7787911C73B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0