%0 Journal Article
%T 超晶格中空穴子带的理论
%A 汤蕙
%A 黄昆
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 一般半导体超晶格(如GaAs-Al_xGa_(1-x)As)中的空穴在垂直于界面方向(z 方向)的运动与XY面内的运动不是相互独立的,因此空穴子带具有复杂的性质.本文在Luttinger-Kohn有效质量理论基础上,提出一种计算空穴子带的方法.它实质上就是以L-K有效质量方程的轻重空穴本征解为基,按超晶格倒格矢展开,直接解久期方程的方法.采用这种方法不需要作各向同性化等简化假设,而计算收敛又很快,倒格矢只要计算到三、四级已可达到适当的精度.文中报道了具体计算结果,包括最低几个子带的色散曲线(包括各向异性).典型的波函数,并着重指出空穴子带如何区别于一般习惯的若干有关子带的概念,如轻重空穴子带的区分等.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BF1FE377DDE308BC&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=0