%0 Journal Article
%T 用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度
%A 谭长华
%A 许铭真
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=958C4D87E5F55B446D8BE1101070BD1D&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D46BA3D3D4B3C585&eid=3A0155B37D8FF829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0