%0 Journal Article
%T 光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布
%A 陈自姚
%A 邵永富
%A 朱福英
%A 彭瑞伍
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C1E956D3BCD9A298911CB6BBB16D1082&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7EBE588F611589FC&eid=798FBE8DE1A255B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0