%0 Journal Article
%T 流体静压力下的Si中的深杂质能级
%A 夏建白
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 在硬原子赝势近似下,由赝势平面波方法计算的能隙压力系数与实验符合较好.压力下,赝原子轨道的s态局域半径扩大,p态局域半径减小.考虑了局域半径的变化,用赝原子轨道线性组合方法也得到了与实验相当的能隙压力系数.以变化后的赝势和原子轨道为基础,用集团方法计算了Si中杂质能级的压力系数,得到了与Vogl不同的结论.施主态压力系数的大小与能级的对称性有关,而与深浅无关.S、Se、Te的Al态压力系数的计算值与实验符合较好.受主态相对于价带顶的压力系数与能隙的压力系数相近(～-1.5).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF6176BE7DC80598&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=E158A972A605785F&sid=3622B70F9C54A9CC&eid=EA64BD0B2FF6E786&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0