%0 Journal Article
%T Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生长
%A 虞丽生
%A 刘宏勋
%A 陈娓兮
%A 何晖
%A 孙毅
%A 吴镭
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X <正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_(1-x)As-GaAs和Ga(1-x)In_xPyAs(1-y)-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_(1-x)As(0.2
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B2D4DE21B183C7E7&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=5A6705FDACED0BF9&eid=4B168891B5E5FB30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0