%0 Journal Article
%T InSb液相外延层内的两类层错
%A 俞振中
%A 马可军
%A 金刚
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 实验表明,IuSb液相外延层内存在着两类层错,即哑铃状层错与杆状层错.对两类层错的形态,结构与相互之间的作用进行了观察.分析表明,哑铃状层错为本征型层错,四周围以Shockley不全位错,而杆状层错很可能为非本征型层错.最后对层错的形成机制进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E5D91B5778F99D270F6928C8F305EC9A&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=8CCD0401CC9AE432&eid=0493D643315CD829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0