%0 Journal Article
%T 短沟道CaAs MESFET中的速度过冲效应
%A 冯育坤
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲效应所致.文中给出了各种栅长下的E_p和V_p,还给出了考虑到非平衡速度过冲效应后GaAs的速-场近似关系.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E35B2DD57787173F373324A579D1E9A4&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=F7BB24011DC0D223&eid=F4BDB5452F9F5642&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0