%0 Journal Article
%T n型砷化镓中1.36eV发光峰的研究
%A 张丽珠
%A 林昭炯
%A 许惠英
%A 秦国刚
%A 王永鸿
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 研究表明扩Cu与热处理GaAs 中都存在的1.36eV发光峰,起源是不同的.前者主要与Cu_(Ga)有关,而后者主要与V_(Ga)有关.首次观察到在同样的温度下扩Cu的与热处理的GaAs(未掺杂)样品,经H等离子体处理后,在扩Cu样品中,在1.41eV附近出现了一个新的发光峰,而在热处理的样品中却不存在此峰.1.41eV发光峰所对应的发光中心可能是H与Cu形成的复合体.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=03881FBA85891A40&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CFAC5CB624A41AFD&eid=BB0EA31DB1B01173&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0