%0 Journal Article
%T 用RDLTS方法研究P型硅中Yb的空穴发射率与电场的关系
%A 鲁永令
%A 傅春寅
%A 曾树荣
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 用RDLTS方法测量了P型硅中Yb的空穴热发射率与电场的关系,结果表明当电场强度大于 3 ×10~4伏/厘米时发射率显著增大.此外.同样方法测量了硅中Au的深施主能级的空穴发射率,井与Yb的结果作了比较.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=42AE310DBED850B61327D02E028F4562&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1F199509C0B6C4D6&eid=6DE26652A1045643&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0