%0 Journal Article
%T n-InP中深能级的研究
%A 胡冰华
%A 周炳林
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文主要利用夹有薄氧化层、势垒高度约为0.65eV的Au/InP肖特基势垒来研究未掺VPE n-InP、未掺及轻掺Fe InP体材料中的深能级.共测到七个电子陷阱和两个空穴陷阱,对其中两个电子陷阱进行了详细的研究.我们在掺Fe晶体中测到一个电子发射激活能为0.69eV的电子陷阱,考虑到其中包含有0.050eV的俘获势垒,则能级值应为0.64eV,这与用Hall方法在掺Fe半绝缘材料中发现的0.65eV能级较一致,所以我们认为该能级与铁有关.另外在所有的材料中都存在0.62eV的电子陷阱,估计该能级与本征缺陷有关.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4FD56646B1ACC643&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=36C49E1242CC2C7A&eid=66D0A4667FE1A38D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0