%0 Journal Article
%T 能带结构对InGaAsP半导体光增益谱的影响
%A 郭长志
%A 黄永箴
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文从理论上系统地研究了能带结构对InGaAsP四元半导体光增益过程的作用,着重分析对能带结构敏感的能态密度及光跃迁矩阵元在不同掺杂、不同注入和不同温度下对光增益谱的影响及其物理根源.对现行的五种理论模型的计算结果及其与实验的比较表明,以k选择为主的跃迁与考虑导带-受主间跃迁的结果相差可达一倍以上,而以k选择为主的跃迁的计算结果与实验符合较好,如采用改进能带则可进一步减小高能端吸收系数与实验的差距.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=689B7C6311E3BB91&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A3781E88AB1776F&eid=BFE7933E5EEA150D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0