%0 Journal Article
%T 硅中铂能级的DLTS研究
%A 游志朴
%A 龚敏
%A 陈继镛
%A 崔新强
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=197889DB211EE1FA&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CD775AE9DDBD7B53&eid=7E8E8B150580E4AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0