%0 Journal Article
%T 中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究
%A 熊兴民
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没寿命,是主要的长寿命组分.450±14ps是正电子在四空位湮没寿命。324ps寿命组分在450℃附近退火消失后,它又以较高的强度在530—800℃的温度范围出现.对不同温度退火的晶体取得的基块寿命不是常数值而是随退火温度有规律的变化.这些异常的退火行为归结为中子辐照硅中所诱导的空位缺陷与氢的相互作用及其对晶格的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4752FE34D6660CAB&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=46CB27789995047D&eid=656F8C8401D91023&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0