%0 Journal Article
%T InP氯化物气相外延的热力学分析
%A 陆大成
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文比较了具有旁路PCl_3注入的In-PCl_3-H_2(液态源)和InP-PCl_3-H_2(固态源)系统.计算中除引入流动效率和反应效率来计入源区反应的不完全性外,对液态源还引入磷的通过效率α来修正铟对气相中磷的吸收.计算表明这二个系统的主要差别是气相中Ⅲ/Ⅴ比值不同.计算结果支持主要淀积反应可能是 InCl+PH_3= InP + HCl+H_2的假设,并且预计固态源系统生长速度的重现性仅略优于液态源系统.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D23CF06474BE78224C425BBCCE5550CA&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=43608FD2E15CD61B&eid=9D453329DCCABB94&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0