%0 Journal Article
%T 单边突变p~+n结的非耗尽分析
%A 傅春寅
%A 鲁永令
%A 曾树荣
%A 吴恩
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=61A9A6E5B4B28BCC&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B47A0E731AF43EB2&eid=58F693790F887B3B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0