%0 Journal Article
%T P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究
%A 钱佑华
%A 陈良尧
%A 张继昌
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 用椭圆偏振术研究了不同剂量P~+注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1A0BE87F440A3C3F245921DF81847DEB&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=A4FA325EA800C820&eid=F24949CFDB502409&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0